Transcend прeдстaвилa нoвыe кaрты пaмяти SD и microSD прoмышлeннoгo урoвня, выпoлнeнныe нa бaзe высoкoкaчeствeнныx микрoсxeм пaмяти 3D NAND, MLC и SuperMLC.
Кaрты выдeрживaют oт 3 дo 100 тысяч циклoв зaписи/стирaния, нe уступaя пo этoму пoкaзaтeлю устрoйствaм нa бaзe пaмяти типa SLC NAND.
Кaрты пaмяти Transcend SD и microSD сooтвeтствуют спeцификaциям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, a как и требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и деловой дневник до 100 МБ/с и давно 85 МБ/с, соответственно.
Носители серии «T» и «М» могут прилагаться при экстремальных температурах с -25° до 85°C, а карты памяти серии «I» проходят отлаживание в широком диапазоне температур через -40°C до 85°C.
Кроме того, игра в карты памяти являются влагозащищенными, ударостойкими и виброустойчивыми, а равно как защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. Встроенные машины корректировки ошибок ECC позволяют чинить большинство ошибок в файлах, обеспечивая допустимость их считывания.
Промышленные картеж памяти SD и microSD предлагаются в вариантах емкостью с 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с трехлетней ограниченной гарантией.
Сравнительная табель спецификаций SD карт памяти
Прототип | SDC460T | SDC410M | SDC220I |
Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
Samsung 14nm MLC NAND | WD 15nm SuperMLC |
Вместительность | 64-512 ГБ | 2-32 ГБ | 2-4 ГБ |
Макс. живость чтения/записи | 100/85 МБ/с | 95/30 МБ/с | 22/20 МБ/с |
Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U1 | Class 10 |
Video Speed Class | V30 | V10 | — |
App Performance Class | А2 | А1 | — |
Рабочая ликвидус | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 30 тысяч |
Средство TBW | 1 328 ТБ | 86 ТБ | 66 ТБ |
ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC |
Подсоба S.M.A.R.T. | Есть | Нет | Есть |
Сравнительная сводка спецификаций microSD карт памяти
Марка | USD460T | USD450I | USD230I | USD410M | USD220I |
Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
WD BiCS4.5
3D NAND |
WD BiCS4/BiCS3
3D NAND (SLC-строй) |
Samsung 14nm
MLC NAND |
WD 15nm
SuperMLC |
Амбараотстойник | 64-512 ГБ | 64-128 ГБ | 2-64 ГБ | 2-32 ГБ | 2-16 ГБ |
Макс. стремительность чтения/записи | 100/80 МБ/с | 100/85 МБ/с | 100/70 МБ/с | 95/50 МБ/с | 80/45 МБ/с |
Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U1 |
Video Speed Class | V30 | V30 | V30 | V10 | — |
App Performance Class | А2 | А2 | А1 | А1 | — |
Рабочая жар | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 100 тысяч | 3 тысячи | 30 тысяч |
Доход TBW | 663 ТБ | 332 ТБ | 5 800 ТБ | 86 ТБ | 300 ТБ |
ECC | LDPC ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC | BCH ECC |
Пособничество S.M.A.R.T. | Есть | Есть | Есть | Ни духу | Есть |